具备优异性能低损耗的Silicon晶体振荡器编码曝光530AC250M000DGR
具备优异性能低损耗的Silicon晶体振荡器编码曝光530AC250M000DGR，为了在广泛应用的市场探寻更多的机会与可能性，Silicon公司不断进行自我的突破，同时也迎来巨大的挑战，敢于迎难而上的Silicon，针对新兴市场开发适合新市场发展的产品，所研发出来的高质量贴片有源晶振，具备卓越的稳定性能，以及优异的品质，适合用于智能互联设备产品.
编码530AC250M000DGR，型号Si530，Si530/531 XO采用Skyworks Solutions先进的DSPLL®电路在高频率下提供低抖动时钟。Si530/531是可用的任意速率输出频率从10到945 MHz和选择频率到1400MHz。不像传统的XO晶体振荡器，需要不同的晶体每个输出频率，Si530/531使用一个固定晶体提供宽输出频率范围。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。
| 晶振厂家原厂代码 | 品牌 | 型号 | 频率 | 电压 | 频率稳定度 |
| 531BC000110DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC148M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 148.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC200M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531EC000110DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531EC148M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 148.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531EC200M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC000110DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC148M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 148.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC200M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 550AE100M000DGR | Silicon振荡器 | Si550 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 530BC130M250DG | Silicon振荡器 | Si530 | 130.25MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 550AE100M000DG | Silicon振荡器 | Si550 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 530BC154M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 154MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530AC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 312.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530BC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 312.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530EC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 312.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530FC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 312.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531AC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 312.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 312.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531EC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 312.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC312M500DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 312.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530AC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 250MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530AC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530AC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530BC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 250MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530BC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530BC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530EC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 250MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530EC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530EC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 622.08MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530FC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 250MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530FC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530FC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si530 | 622.08MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531AC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 250MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531AC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531AC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 250MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531EC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 250MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531EC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531EC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 622.08MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC250M000DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 250MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC311M040DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 311.04MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531FC622M080DGR | Silicon振荡器 | Si531 | 622.08MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 530CA40M0000BG | Silicon振荡器 | Si530 | 40MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 531AA640M000BG | Silicon振荡器 | Si531 | 640MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 501BCAM032768BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501BCAM032768DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCAM032768BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCAM032768BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501JCAM032768CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 3.3V | ±20ppm |
| 501HCAM032768BAG | 美国Silicon晶体振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501HCAM032768CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501HCAM032768CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501HCAM032768DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 32.768kHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501ABA8M00000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
| 501ABA8M00000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
| 501ABA8M00000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
| 501ACA10M0000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
| 501ACA10M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
具备优异性能低损耗的Silicon晶体振荡器编码曝光530AC250M000DGR，DSPLL时钟合成提供优越的电源噪声抑制，简化在嘈杂的环境中产生低抖动时钟的任务通信系统。基于Si530/531 IC的XO带电压晶振是工厂可配置的适用于多种用户规格，包括频率，电源电压，输出格式、温度稳定。具体配置为出厂配置在发货时进行编程，从而消除了较长的交货时间与自定义振荡器相关联。
产品应用范围：SONET/SDH，网络，SD/HD视频，测试与测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域。
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