手机蓝牙爱普生有源晶振X1G005591023100及时满足市场现货需求
手机蓝牙爱普生有源晶振X1G005591023100及时满足市场现货需求
日本爱普生晶振在全球品牌中品质和规模均优先其他品牌,推荐爱普生石英可编程晶振SG-8018首选对象,可编程有源晶振相对普通有源晶振有优势:
1稳定性好:频率公差已包括初始频率公差,温度变化,电源电压变化,漂移,漂移负载和老化(25℃,10年).
2最常用的CMOS输出方式.
3功能引脚可选择普通四脚爱普生有源晶振(SPXO)一般都只有ST功能.SG-8018可以由客户选择第一引脚为OE引脚(可以控制晶体频率输出,进一步降低功耗)还是ST引脚,方便设计使用.
4交期更短,中国市场的批量交货时间将随着日本爱普生自动化烧录设备的投产,缩短到二个工作日.而SG-8018样品,现在已经实现了一个工作日内发货.
手机蓝牙爱普生有源晶振,X1G005591023100晶振振荡器
5在0.67MHz~170MHz的有源晶振常用频率范围内,设计工程师可以根据晶振电路的实际需要,随意选择最合适的频率值.而不用考虑是否为标准频点,以及由此导致的交期和成本增加.
6工作温度高市场上有源晶振的工作范围一般为商业级或者工业级,日产晶振而SG-8018系列可编程晶振的工作温度范围在-40~105℃的宽温级,可以适应更苛刻的工作环境.
7电源电压覆盖最常用的电压范围从1.62V~3.63V,覆盖常用的1.8V、2.5V和3.3V三个标准电源电压
8尺寸丰富,覆盖常用的规格SG-8018石英可编程晶振主要包括四个封装,2520(SG-8018CG)、3225(SG-8018CE)、5032(SG-8018CB)、7050(SG-8018CA)
手机蓝牙爱普生有源晶振,X1G005591023100晶振振荡器
爱普生有源晶振编码
型号
频率
长X宽X高
输出波
电源电压
工作温度
频差
最大值
X1G005591025100
SG-8018CE
1.344000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591025200
SG-8018CE
1.490944 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591025300
SG-8018CE
1.638400 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591025400
SG-8018CE
2.444400 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591025500
SG-8018CE
13.977600 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591025600
SG-8018CE
75.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591025700
SG-8018CE
13.516800 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591025800
SG-8018CE
64.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591025900
SG-8018CE
9.830400 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591026000
SG-8018CE
29.491200 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591023100
SG-8018CE
30.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591026100
SG-8018CE
37.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591026200
SG-8018CE
16.384000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591026300
SG-8018CE
135.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 8.1 mA
X1G005591026400
SG-8018CE
64.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591026500
SG-8018CE
20.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591026600
SG-8018CE
12.288000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591026700
SG-8018CE
60.956200 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591026800
SG-8018CE
52.441700 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591026900
SG-8018CE
65.794020 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
X1G005591027000
SG-8018CE
14.745600 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591027100
SG-8018CE
16.500000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591027200
SG-8018CE
7.372800 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 3.5 mA
X1G005591027300
SG-8018CE
35.000000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 4.4 mA
X1G005591027400
SG-8018CE
64.800000 MHz
3.20 x 2.50 x 1.20 mm
CMOS
1.620 to 3.630 V
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 5.2 mA
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