百利通亚陶晶振,HX3125006Q晶振,HX251晶振,低功耗晶振
频率:1.75~161MHz
尺寸:2.5*2.0*0.9mm
百利通亚陶晶振,HX3125006Q晶振,HX251晶振,低功耗晶振,超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体振荡器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
百利通晶振重视污染预防,消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效. 百利通亚陶晶振将持续的环境、健康和安全方面的改进、污染预防和员工的努力纳入日常运行当中.加强污染防治,减少现有的污染废弃物以及在未来晶体谐振器、普通晶体振荡器(SPXO),石英晶振生产制造中所产生的污染.
百利通亚陶晶振 |
HX251晶振 |
输出类型 |
CMOS |
振荡模式 |
基本/第三泛音 |
电源电压 |
1.8V,2.5V,3.3V |
频率范围 |
1.75~161MHZ |
频率稳定度 |
±50ppm |
工作温度 |
-40℃~125℃ |
保存温度 |
-55~+125℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 |
5 ms Max. |
相位抖动(12兆赫~20兆赫) |
1个PS最大. |
老化率 |
±3 ppm /年最大. |
晶体单元/振荡器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
机械振动的影响
当石英晶体产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.
深圳市康华尔电子有限公司
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