IL3T晶振,艾尔西无源晶振,32.768K时钟晶振

当前位置：首页 » 进口晶振 » ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振

prevnext

ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2*0.6mm

贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

订购热线：0755-27838351

ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振

ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振.小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

ILSI晶振总部位于内华达州里诺,在加利福尼亚州南部设有办事处,该公司被认为是灵活而响应迅速的提供交钥匙供应链管理解决方案,编程的组织服务和工程支持.

石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.

ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振

ILSI晶振	单位	IL3T晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振

装载

SMD晶体产品支持自动贴装,但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试,确认其对特性没有影响.在切断工序等会导致基板发生翘曲的工序中,请注意避免翘曲影响到耐高温晶振产品的特性以及软焊.基于超声波焊接的贴装以及加工会使得贴片石英晶体产品(谐振器、振荡器、滤波器)内部传播过大的振动,有可能导致特性老化以及引起不振荡,因此不推荐使用.

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

晶体振荡器和实时时钟模块

所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致有源晶体无法产生振荡和/或非正常工作.低功耗晶振的软焊温度条件被设计成可以和普通电子零部件同时作业,但如果是超过规格以上的高温,则频率有可能发生较大的变化,因此请避免不必要的高温度.有关SMD晶振产品的回流焊焊接温度描述,请参照“表面贴装型晶体产品的回流焊焊接温度描述”.

撞击

虽然石英晶体谐振器产品在设计阶段已经考虑到其耐撞击性,但如果掉到地板上或者受到过度的撞击,以防万一还是要检查特性后再使用.

保管

保管在高温多湿的场所可能会导致端子软焊性的老化.请在没有直射阳光,不发生结露的场所保管.

ILSI晶体,2012晶振,IL3T贴片晶振