ILSI晶振,千赫兹晶振,IL3X高质量晶振
频率：32.768KHZ
尺寸：3.2*1.5*0.9mm
ILSI晶振,千赫兹晶振,IL3X高质量晶振.贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
ILSI晶振厂家提供广泛的频率控制产品,我们的主要业务是开发和供应基于石英或压电晶体的产品,其中包括晶体振荡器以及各种封装类型的石英或压电晶体.我们的晶体振荡器套件包括我们的时钟振荡器,MEMS振荡器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO产品.
晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.
|
ILSI晶振 |
单位 |
IL3X晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ～ 100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,
|
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
6pF 9pF 12.5pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振使用注意事项
使用低功耗晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
智能穿戴晶振的设计和生产满足它的规格书.通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输晶振.请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任.
所有产品的共同点
抗冲击
晶体可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果SMD晶振已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致贴片石英晶体性能受到损害,因此应避免照射.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏SMD晶振.
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用3215晶振产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市康华尔电子有限公司
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