ILSI晶振,无源石英晶振,ILCX13进口晶振
频率:10.000MHz~150.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.9mm
ILSI晶振,无源石英晶振,ILCX13进口晶振.3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.
ILSI America成立于1987年,其使命是成为世界级的ILSI供应商.频率控制产品.通过有机增长和战略收购,美国ILSI 现在是广泛设计,制造和供应的全球领导者,涵盖四个品牌的组件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美国ILSI满足广泛的要求,满足OEM和CEM的严格标准.通过以下产品在许多垂直市场的客户:石英晶体,晶体振荡器,MEMS振荡器,TCXO,VCXO,OCXO,滤波器和谐振器.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
ILSI晶振 |
单位 |
ILCX13晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
10.000MHz~150.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
0℃~+70℃ |
标准(有关更多信息,请参见部件号指南 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF~32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
装载
SMD产品
SMD晶体产品支持自动贴装,但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试,确认其对特性没有影响.在切断工序等会导致基板发生翘曲的工序中,请注意避免翘曲影响到3225晶振产品的特性以及软焊.基于超声波焊接的贴装以及加工会使得贴片晶体产品(谐振器、振荡器、滤波器)内部传播过大的振动,有可能导致特性老化以及引起不振荡,因此不推荐使用.
引线类型产品
当引线弯折、成型以及贴装到印制电路板时,请注意避免对基座玻璃部分施加压力.否则有可能导致玻璃出现裂痕,从而引起性能劣化.
保管
保管在高温多湿的场所可能会导致端子软焊性的老化.
请在没有直射阳光,不发生结露的场所保管.
其他
晶体谐振器
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.
让进口晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍以上.
晶体振荡器
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOSIC一样考虑.
有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.
深圳市康华尔电子有限公司
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