艾博康OSC晶振编码ASD1-25.000MHZ-EC-T常用于小型设备应用,主流的艾博康晶振产品一直备受市场的欢迎,这是一家非常积极主动创新型的晶振品牌,凭借着对于行业独特见解,开发一系列高质量,低抖动,低电压的有源晶振产品,并得到市场广泛的认可,编码ASD1-25.000MHZ-EC-T,型号ASD,XO时钟振荡器,贴片有源晶振,小尺寸振荡器2520mm,频率为25MHZ,电压为3V,工作温度-20°C~+70°C,产品特征:低高度1.0mmmax,低电流消耗,三态功能,适用于符合RoHS标准的回流管,严格的稳定性选项,接缝密封包装保证,高可靠性,产品应用范围:用于录像机的CCD时钟,设备连接到PC或PC卡,轻薄的设备.
IBIS模型是一个紧凑和安全的标准,用于模拟较大电路中的振荡器。希望模拟振荡器性能的系统级设计人员可以利用Abracon提供的IBIS模型来简化和加快设计过程。下面的图1显示了Abracon的ASDDV系列CMOS晶体振荡器IBIS模型的示例摘录。艾博康OSC晶振编码ASD1-25.000MHZ-EC-T常用于小型设备应用.
IBIS模型表示经过缓冲后的被表示电路的输入和输出,正如系统的其余部分所看到的那样。为了实现这一点,IBIS模型保存行为信息,如电流与电压和电压与时间的关系,但不保存任何结构信息。这种保存数据的方法在建模振荡器时具有信息安全方面的优势,因为需要提取的集成电路(IC)数据很少。这种保存数据的方法的另一个优点是,它需要较少的处理能力来确定输入/输出动态,从而允许更快的模拟和分析。
原厂编码 | 晶振厂家 | 型号 | 类型 | 频率 | 电压 | 工作温度 |
ASTMKJ-32.768KHZ-MP-DCC-T | Abracon晶振 | ASTMKJ | MEMS (Silicon) | 32.768kHz | 1.2 V ~ 3.63 V | -10°C ~ 70°C |
ASTMKJ-32.768KHZ-LQ-DCC-T | Abracon晶振 | ASTMKJ | MEMS (Silicon) | 32.768kHz | 1.5 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C |
ASTMKJ-32.768KHZ-LQ-D26-T | Abracon晶振 | ASTMKJ | MEMS (Silicon) | 32.768kHz | 1.5 V ~ 3.63 V | -40°C ~ 85°C |
ASTMLPA-25.000MHZ-EJ-E-T | Abracon晶振 | ASTMLP | MEMS (Silicon) | 25MHz | 2.25 V ~ 3.63 V | -20°C ~ 70°C |
ASVMB-20.000MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMB | MEMS (Silicon) | 20MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASDMB-5.000MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASDMB | MEMS (Silicon) | 5MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMB-40.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMB | MEMS (Silicon) | 40MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-30.000MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 30MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-60.000MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 60MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-24.576MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 24.576MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-27.000MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 27MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-14.7456MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 14.7456MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-29.4912MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 29.4912MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-11.0592MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 11.0592MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-20.000MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 20MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-14.31818MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 14.31818MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASEM1-18.432MHZ-LC-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEM | MEMS (Silicon) | 18.432MHz | 3.3V | -40°C ~ 85°C |
ASTMLPA-18-16.000MHZ-LJ-E-T | Abracon晶振 | ASTMLP | MEMS (Silicon) | 16MHz | 1.8V | -40°C ~ 85°C |
ASD1-25.000MHZ-EC-T | Abracon晶振 | ASD | XO (Standard) | 25MHz | 3V | -20°C ~ 70°C |
ASDMB-50.000MHZ-40-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASDMB | MEMS (Silicon) | 50MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | 0°C ~ 70°C |
ASDMB-20.000MHZ-40-T | 美国艾博康晶振 | Pure Silicon™ ASDMB | MEMS (Silicon) | 20MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | 0°C ~ 70°C |
ASFLMB-14.31818MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 14.31818MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-1.8432MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 1.8432MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-12.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 12MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-44.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 44MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFL3-11.0592MHZ-EK-T | Abracon晶振 | ASFL3 | XO (Standard) | 11.0592MHz | 1.8V | -20°C ~ 70°C |
ASFLMB-32.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 32MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-29.4912MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 29.4912MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-50.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 50MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-6.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 6MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-4.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 4MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-18.432MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 18.432MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-1.544MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 1.544MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFL3-8.000MHZ-EK-T | Abracon晶振 | ASFL3 | XO (Standard) | 8MHz | 1.8V | -20°C ~ 70°C |
ASFLMB-16.384MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 16.384MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASFLMB-7.3728MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASFLMB | MEMS (Silicon) | 7.3728MHz | 1.8 V ~ 3.3 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMPC-27.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMP | MEMS (Silicon) | 27MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMPC-24.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMP | MEMS (Silicon) | 24MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMPC-26.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMP | MEMS (Silicon) | 26MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMPC-13.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMP | MEMS (Silicon) | 13MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-26.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 26MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-25.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 25MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-10.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 10MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-24.576MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 24.576MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMPC-50.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMP | MEMS (Silicon) | 50MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-50.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 50MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASVMPC-25.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASVMP | MEMS (Silicon) | 25MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-13.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 13MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-24.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 24MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-20.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 20MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
ASEMPC-60.000MHZ-LR-T | Abracon晶振 | Pure Silicon™ ASEMP | MEMS (Silicon) | 60MHz | 2.25 V ~ 3.6 V | -40°C ~ 85°C |
该模型使用电源和地钳来确保电压相对于振荡器Vdd和地保持在可接受的范围内。这也意味着等效电路可以表示为封装电阻、电感和电容。每个pad的行为信息被保存下来,以确定它将如何与电路的其余部分相互作用。这包括电流与电压的关系,如上拉、下拉、电源箝位和地箝位信息,以及电压与时间的数据,如上升和下降波形。
IBIS模型可以共享有关有源晶振振荡器行为的信息,同时很少透露有关IC设计的信息。与其他仿真模型相比,IBIS模型不保存有关IC的任何结构信息,因此降低了IC组件和设计被识别的风险。
用户可以检查振荡器产品结构模型的内部方面。然而,IBIS模型是行为模型,这意味着它们记录电流、电压和时间之间的关系,以便在模拟电路中重复。这允许振荡器的性能被纳入一个更大的系统的设计,而不透露振荡器本身的组成的任何细节。表1是IBIS摘录,显示Abracon的ASDDV系列CMOS振荡器的上升输出波形。
表1中的信息绘制在图3中。图4绘制了相应的下降波形。
IBIS模型允许比结构模型更快的模拟。基于经验测量,IBIS模型将行为信息保存为查找表,如表1所示。这些查找表描述了振荡器对电路其余部分的反应,例如输入I-V关系和输出波形(V-T)。这为软件提供了预先测量的结果,而不是要求它计算复杂IC内组件之间的相互作用,提供与结构模型相同的功能,同时只需要一小部分处理能力。
与普通结构模型相比,使用IBIS模型来表示晶体振荡器oscillator Crystal可以实现更快、更安全的模拟。这是有价值的,因为它允许制造商更自由地共享其产品的仿真工具,设计师可以快速轻松地计算振荡器在其设计中的效果。Abracon验证IBIS模型,以确保它们符合IBIS Open Forum标准,以确保我们产品的仿真可靠性。