Microchip高性能晶体振荡器DSC1001CI1-025.0000为国防和通信设备提供极佳解决方案

Microchip高性能晶体振荡器DSC1001CI1-025.0000为国防和通信设备提供极佳解决方案,microchip Technology Incorporated这是一家为频率元器件提供完美解决方案的知名企业，同时也是一家技术领先的控制解决方案供应商。主要向世界各地提供性能优越，成本低的SMD晶振产品，并以高于用户满意度为最大的前提，通过使用的开发工具和全面的产品组合使客户能够创建最佳设计，从而降低风险，该公司的解决方案服务于工业、汽车、消费、航空航天和国防、通信和计算市场的120，000多家客户，微芯片提供卓越的技术支持以及可靠的交付和质量.

Manufacturer Part Number原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Part Status	Type 类型	Frequency 频率	Voltage - Supply电压	Ratings
DSC6111CI2A-012.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	12MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6102CI2A-100.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	100MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101CI2A-050.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	50MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101CI2A-025.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6003JI2A-048.0000	Microchip晶振	DSC60XX	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101JI2A-026.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	26MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101JI2A-048.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6003JI2A-016.0000	Microchip晶振	DSC60XX	Active	MEMS (Silicon)	16MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC6101JI2A-012.2880	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	12.288MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101JI2A-050.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	50MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6102JI2A-100.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	100MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6111JI2A-024.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	24MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101JI2A-012.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	12MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC6101JI2A-027.0000	Microchip晶振	DSC6100	Active	MEMS (Silicon)	27MHz	1.71 V ~ 3.63 V	AEC-Q100
DSC1121CI2-050.0000	Microchip晶振	DSC1121	Active	MEMS (Silicon)	50MHz	2.25 V ~ 3.6 V	AEC-Q100
DSC1121CI2-025.0000	Microchip晶振	DSC1121	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V	AEC-Q100
DSC1121BI2-025.0007	Microchip晶振	DSC1121	Active	MEMS (Silicon)	25.0007MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-
DSC1121AE2-025.0000	Microchip晶振	DSC1121	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V	AEC-Q100
DSC1101CI1-025.0000	Microchip晶振	DSC1101	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-
DSC1001CC1-008.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	8MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1101DL1-027.0000	Microchip晶振	DSC1101	Active	MEMS (Silicon)	27MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-
DSC1001CE1-066.6666	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	66.6666MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001CE1-019.2000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	19.2MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033CE2-022.5792	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	22.5792MHz	3.3V	-
DSC1001DI1-004.9152	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	4.9152MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033AE1-024.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	24MHz	3.3V	-
DSC1001AC1-027.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	27MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033CE2-074.2500	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	74.25MHz	3.3V	-
DSC1033BE1-050.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	50MHz	3.3V	-
DSC1001AC1-008.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	AEC-Q100
DSC1033DI1-048.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	3.3V	-
DSC1001DI1-012.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001DI1-048.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033DI1-064.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	64MHz	3.3V	-
DSC1033DI1-025.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	3.3V	-
DSC1033CI1-008.1920	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	8.192MHz	3.3V	-
DSC1033DI1-050.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	50MHz	3.3V	-
DSC1033DI1-024.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	24MHz	3.3V	-
DSC1033DI1-016.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	16MHz	3.3V	-
DSC1001DI1-020.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001CI1-025.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033BI2-027.1200	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	27.12MHz	3.3V	-
DSC1001DI1-032.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	32MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033DI1-029.4912	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	29.4912MHz	3.3V	-
DSC1001AE1-027.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	27MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AE1-014.3182	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	14.3182MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AE1-024.5761	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	24.5761MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AE1-054.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	54MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AE1-003.6864	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BE2-010.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	10MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AE1-055.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	55MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1033CI1-001.0000	Microchip晶振	DSC1033	Active	MEMS (Silicon)	1MHz	3.3V	-
DSC1004AI2-001.0000	Microchip晶振	DSC1004	Active	MEMS (Silicon)	1MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-
DSC1001CI1-003.6864	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	3.6864MHz	1.7 V ~ 3.6 V	AEC-Q100
DSC1001DI1-038.4000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	38.4MHz	1.7 V ~ 3.6 V	AEC-Q100
DSC1001AI2-064.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	64MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI1-048.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	48MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001CI2-001.9521	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	1.9521MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001CI2-010.4857	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	10.4857MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001CI2-008.1920	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	8.192MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AI1-033.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	33MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI1-010.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	10MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI1-020.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI1-024.5760	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	24.576MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI1-027.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	27MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI2-014.3181	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	14.3181MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI2-014.7456	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	14.7456MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI2-016.3840	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	16.384MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI2-040.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	40MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001AI2-001.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	1MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100
DSC1001BI1-024.0000	Microchip晶振	DSC1001	Active	MEMS (Silicon)	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V	AEC-Q100

编码DSC1001CI1-025.0000，尺寸为3225mm，频率为25MHz，DSC1101和DSC1121系列高性能晶体振荡器利用成熟的硅MEMS技术，在宽电源电压和温度范围内提供出色的抖动和稳定性。通过消除对石英或SAW技术的需求，MEMS振荡器显著提高了可靠性并加快了产品开发，同时满足各种通信、存储和网络应用的严格时钟性能标准。DSC1101具有待机特性，当en引脚被拉低时，它可以完全关断；而对于DSC1121，当en为低电平时，仅输出禁用。两款振荡器均采用工业标准封装，包括小型3.2毫米x 2.5mm毫米，是标准4引脚CMOS石英晶体振荡器的替代产品。

Microchip高性能晶体振荡器DSC1001CI1-025.0000为国防和通信设备提供极佳解决方案,产品特性：低均方根相位抖动:< 1 ps(典型值。)，高稳定性:10、25、50 ppm，汽车:-55摄氏度至125摄氏度，延伸文件系统工业级:-40摄氏度至105摄氏度，工业级:-40摄氏度至85摄氏度，延伸文件系统商用:-20摄氏度至70摄氏度，高电源噪声抑制:-50dBc，宽频率。范围:2.3至170兆赫。2.5毫米x 2.0mm毫米、3.2毫米x 2.5mm毫米、5.0毫米x 3.2mm毫米和7.0毫米x 5.0mm毫米，符合军用标准883，MTF比石英晶体振荡器高20倍，低电流消耗，电源电压范围为2.25V至3.6V，待机和输出使能功能，无铅且符合RoHS标准.

• 应用程序：存储区域网络，SATA、SAS、光纤通道 无源光网络 - EPON，10G-EPON，V GPON，10G-PON 以太网 - 1G、10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE 高清/标清/SDI视频和监控，PCI Express，显示端口.