XR32H1J24.000060Q为四脚微型的高可靠无源晶体,比较适合于信息娱乐和远程信息服务,ECERA品牌

XR32H1J24.000060Q为四脚微型的高可靠无源晶体,比较适合于信息娱乐和远程信息服务,ECERA品牌，Diodes公司自成立以来,秉持着创新,专业的精神,制作出大量高质量的贴片石英晶体,时钟振荡器等产品,非常符合当下应用程序的需求,同时也得到用户的深度依赖,不断超越自我,创新的精神引领着百利通亚陶公司成长更为知名,杰出的制造商,亚陶的成就离不开对自身极度严格化的高标准,高要求,未来发展辉煌的亚陶公司更是令人期待。

GC0800044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ GC	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
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FL1200112	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±30ppm
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FL2000059	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	20MHz	±10ppm
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FL2400022	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±10ppm
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FL2500133	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
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FL3000037	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	30MHz	±30ppm
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产品特性
坚固的at切割晶体结构
支持高温:-40℃至125℃
机械冲击可达8000G
频率范围宽:12~66MHz
支持1500G离心力
符合JIS-C0044跌落测试要求
符合AEC-Q 200标准-三年级，二年级，一年级
各种包装:

—2.0 mm × 1.6 mm

—2.5 mm × 2.0 mm

—3.2 × 2.5 mm

可在磁带和卷轴;8毫米磁带,3000件/卷
无铅和RoHS/绿色环保，XR32H1J24.000060Q为四脚微型的高可靠无源晶体,比较适合于信息娱乐和远程信息服务,ECERA品牌

FL2400067	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±20ppm
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FL4000157Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	40MHz	±10ppm
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FL2600177Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±20ppm
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产品描述
XRQ系列四垫式密封装置标准3.2 x 2.5mm, 2.5 x 2.0mm和2.0 x 1.6mm陶瓷封装。这些设备适用于人口密集地区的表面安装或小尺寸PCB应用。的XRQ该系列设计用于汽车行业，具有很高的可靠性应用程序，并在苛刻条件下精确执行条件。石英晶体符合要求aec - q200三年级、二年级和一年级。该系列支持工作温度范围-40℃至+125℃
应用程序
胎压监测系统(TPMS)
信息娱乐和远程信息服务
高级驾驶员辅助系统(ADAS)

Diodes晶振推出了一款通用交流高压输入非隔离离线开关IC，以进一步加强其电源产品组合。AP3928解决了与使用偏置电源相关的挑战。它提供安全可靠的电力，同时保持较高的性能数据并显着节省成本。该切换器 IC 针对要求更高功率水平的情况进行了优化，例如工业控制或家庭自动化系统、家用电器和物联网设备。

FY0800018	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	8MHz	±30ppm
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FH1200004	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	12MHz	±15ppm
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FW1600008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	16MHz	±20ppm
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FW1920001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	19.2MHz	±20ppm
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FW1920001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	19.2MHz	±20ppm

AP3928具有600mA的最大输出电流，允许10W的输出功率额定值。这款高压开关IC的一个关键区别在于它支持传统的离线非隔离反激配置，以及更精简的非隔离降压配置，从而将材料清单 (BOM) 支出降至最低。

峰值电流和开关频率将随着负载的降低而不断降低，这意味着该器件可以在轻负载条件下实现更高的效率。因此，它非常适合长时间处于睡眠模式的任何形式的设备。

F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
FY2400053	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	24MHz	±10ppm
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FL2400097	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±15ppm
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FL3840015Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3840015Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
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FL1840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	18.432MHz	±20ppm
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FL2500281	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±50ppm
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FL1350008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	13.5MHz	±20ppm
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FL3740015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
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FL1920031	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	19.2MHz	±10ppm

开发优质的环保晶振,与AP3928 IC可以相互配合,而AP3928低于30mW的低待机功耗是另一个重要属性。这在需要节省可用电池电量的小型家用电器和物联网设备中特别有价值。

FL1920031	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	19.2MHz	±10ppm
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FL2400041	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
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FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm

DIODESAP3928切换器 IC 采用紧凑的SO-8封装。为确保安全，它满足高压爬电要求，并可支持高达 +150°C的工作结温。包括过热、输出短路、过载和开环保护功能，以及欠压锁定。