进口大真空TCXO,1XXB16368MAA,低相位噪声晶振,DSB221SDN晶振
温度补偿晶体振荡器根据补偿方式分可为两大类,一种是间接补偿晶体振荡器,即在压控晶体振荡器(VCXO)的前端加一温度补偿电阻网络,用补偿网络的输出电压来控制VCXO的控制端电压;另一种是直接补偿晶体振荡器(简称直补晶振),即直接在晶体振荡电路的振荡槽路加入具有温度敏感性的补偿阻容网络,达到补偿的目的。后者在电路中省去了VCXO,也无须对振荡电路进行稳压,因此在电路、功耗、体积以及批量生产等各个方面都具有一定的优势。
DSB221SDN晶振是一款2520尺寸的温补晶振,体积小,厚度薄,多被使用在智能手机、GPS/GNSS、工业用通信设备等方面。在数字设备中发挥着无形但重要作用,这需要精密和高精度的技术。在 KDS晶振下,追求独一无二的技术开发,通过KDS晶振自成立以来在晶体器件行业的领先地位长期发展起来的工艺与尖端技术的完美结合。还使用最先进的测试设备和安装在每个工厂的洁净室进行了彻底的质量控制。KDS晶振的质量得到了认可,获得了汽车电子质量管理体系的国际标准 IATF16949 认证以及质量保证的国际标准 ISO 9001。
进口大真空TCXO,1XXB16368MAA,低相位噪声晶振,DSB221SDN晶振
类型 | DSB221SDN (TCXO) |
频率范围 | 9.6 至 52MHz |
标准频率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
电源电压范围 | +1.68 to +3.5V |
电源电压 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
电流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
输出电平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
输出负载 | 10kΩ//10pF |
频率稳定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
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启动时间 | 最大 2.0ms |
包装单位 | 3000 个/卷 (Φ180) |
进口大真空TCXO,1XXB16368MAA,低相位噪声晶振,DSB221SDN晶振
进口大真空TCXO,1XXB16368MAA,低相位噪声晶振,DSB221SDN晶振
所有产品的共同点
1、抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
2、辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。
3、化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4、粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材SsA料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。
5、卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6、静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。