511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振，尺寸5.00mmx3.20mm，频率156.25MHz，支持输出LVPECL，电压3.3V，频率稳定性25ppm,脚位6-SMD，LVPECL输出晶振，LVPECL贴片晶振，差分晶体振荡器，XO时钟振荡器（标准），有源晶体振荡器，有源贴片晶振，电信专用差分晶振，6G交换晶振，路由器专用差分晶振，时钟生产晶振，低抖动差分晶振，低相位差分晶振，产品很适合用于SONET/SDH/OTN网络，千兆以太网，光纤通道/SAS/SATA，PCI Express总线，3G-SDI/HD-SDI/SDI，电信，差分晶振LVPECL，交换机/路由器，FPGA/ASIC时钟生成等领域.
Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL技术，以提供从100kHz到250MHz的任何频率。不像传统的XO晶体振荡器其中每个输出频率需要不同的晶体，Si510/511使用一个固定晶体和Skyworks Solutions的专有DSPLL 合成器产生这个范围内的任何频率。这种基于IC的 方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性， 改进的机械强度和优异的稳定性。此外，这 解决方案提供出色的电源噪声抑制，简化低抖动时钟嘈杂环境中的生成。511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振.
511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振参数图
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | |||||||||||||||||
| Supply Voltage | VDD | 3.3 V option | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | |||||||||||||||||
| 2.5 V option | 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | |||||||||||||||||||
| 1.8 V option | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V | |||||||||||||||||||
| Supply Current | IDD |
CMOS, 100 MHz, single-ended |
— | 21 | 26 | mA | |||||||||||||||||
|
LVDS (output enabled) |
— | 19 | 23 | mA | |||||||||||||||||||
|
LVPECL (output enabled) |
— | 39 | 43 | mA | |||||||||||||||||||
|
HCSL (output enabled) |
— | 41 | 44 | mA | |||||||||||||||||||
|
Tristate (output disabled) |
— | — | 18 | mA | |||||||||||||||||||
| OE "1" Setting | VIH | See Note | 0.80 x VDD | — | — | V | |||||||||||||||||
| OE "0" Setting | VIL | See Note | — | — | 0.20 x VDD | V | |||||||||||||||||
|
OE Internal Pull-Up/Pull- Down Resistor* |
RI | — | 45 | — | kΩ | ||||||||||||||||||
| Operating Temperature | TA | –40 | — | 85 | oC | ||||||||||||||||||
511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振尺寸图
OSC晶振产品特性：
频率100kHz至250MHz
低抖动操作
2到4周的交货时间
完全稳定包括10年老化
3.3、2.5或1.8 V工作电压
差异(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS输出选项
可选集成1:2 CMOS扇出缓冲器
OE上的不良抑制和通电 行业标准5 x 7、3.2 x 5、 和2.5 x 3.2毫米封装
无铅，符合RoHS标准
–40至85摄氏度操作
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| Manufacturer Part Number原厂代码 | 晶振厂家 | Series型号 | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Frequency Stability频率稳定度 |
| 530BA125M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 125MHz | 3.3V | ±50ppm |
| 531FB125M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 125MHz | 2.5V | ±20ppm |
| 530BB100M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 530FC156M250DG | Silicon振荡器 | Si530 | 156.25MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 510ABA125M000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA74M2500BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA156M250BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511ABA156M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510FBA200M000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 200MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510ABA200M000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 530FA156M250DG | Silicon振荡器 | Si530 | 156.25MHz | 2.5V | ±50ppm |
| 531BC000110DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 535FB125M000DG | Silicon振荡器 | Si535 | 125MHz | 2.5V | ±20ppm |
| SI50122-A4-GM | Silicon振荡器 | SI50122-A4 | 100MHz | 2.25 V ~ 3.63 V | +100ppm |
| 511ABA156M250AAGR | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 530FC125M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 125MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 531BC200M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC250M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 250MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530AC622M080DG | Silicon振荡器 | Si530 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 511FBA100M000BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA106M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA156M250AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510ABA156M250AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 531BC125M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 125MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530AC125M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 125MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531FB106M250DG | Silicon振荡器 | Si531 | 106.25MHz | 2.5V | ±20ppm |
| 531AC156M250DG | Silicon振荡器 | Si531 | 156.25MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531AC200M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC148M500DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530AC200M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530BC200M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 531BC156M250DG | Silicon振荡器 | Si531 | 156.25MHz | 3.3V | ±7ppm |
| 530FC200M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 200MHz | 2.5V | ±7ppm |
| 536BB156M250DG | Silicon振荡器 | Si536 | 156.25MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 536FB156M250DG | Silicon振荡器 | Si536 | 156.25MHz | 2.5V | ±20ppm |
| 536AB156M250DG | Silicon振荡器 | Si536 | 156.25MHz | 3.3V | ±20ppm |
| 510FBA125M000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA000149BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 74.175824MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510FBA100M000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511FBA106M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 106.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510BBA106M250BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA125M000AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA100M000AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510BBA125M000AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA100M000AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA106M250AAG | 美国Silicon晶体振荡器 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA148M500BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 148.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510FBA148M500BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 148.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 511BBA156M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511FBA156M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
| 510BBA148M500BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 148.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 511BBA156M250AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm |
| 510FBA156M250AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 156.25MHz | 2.5V | ±25ppm |
1XSF033333ARA,DSO221SR多媒体设备晶振,大真空CMOS输出晶振
DSO751SV影像设备晶振,1XSA050000AVW,大真空水晶振荡子
NZ2016SHA-0.032768MHZ-NSC5299A,NZ2016SHA自动驾驶晶振,NDK有源振荡器
NDK高质量振荡器,NZ1612SH无线蓝牙晶振,NZ1612SH-19.2MHZ-NSC5152B
CO2016-25.000-3.3-50-T-TR,CO2016仪器设备晶振,Raltron时钟振荡器
CO43可视化设备晶振,CO43025S-27.000-T-TR- L30,拉隆低电压振荡器
DSC1003,Microchip时钟振荡器,DSC1003DL2-100.0000T,100MHZ,2520mm
SMD100.3C(E/D)-52.000MHz,SMD100振荡器,GED低抖动晶振,7050mm,CMOS
