自1881年创业以来,精工公司已不断地向全世界推出了各种具有革新性的商品和服务. 比如压控振荡器,贴片晶振, 石英晶振,有源晶振,压控振荡器等.以腕表、电子元器件、系统解决方案的3大业务为轴心,推进各种业务,在全球范围内开展各项活动.
精工控股株式会社精工晶振永恒不变主体就是,依靠“觉得可靠的质量”让顾客得到放心和满足.将集团基本理念定为“努力成为值得社会信赖的公司”,我们希望像全世界的顾客提供值得信赖的商品和服务.
精工控股株式会社精工晶振用多样的技术支持高度发展的社会和产业
1.用精密加工技术支持社会发展:精工运用源自腕表制造的精密加工技术,制造从医疗仪器到汽车、手机的广泛领域的精密零件,支持社会发展.
运用通过制造钟表所积累的精密加工技术,我们还提供石英晶振,有源晶振,压控振荡器,精密切削零件产品,被广泛的应用于硬盘驱动器零件、医疗器械、照相机、电机和手机等各种领域.此外,我们还生产温补晶振,石英晶体振荡器,ABS刹车零件、发动机、变速器零件等汽车配件,以及数码相机的快门等产品.除此以外,我们生产的机床产品凝聚了精工在金属加工领域所积累的高度工艺,得到了众多汽车零件厂商的青睐,为其高精度的生产制造贡献着自己的力量.
32.768K石英晶体频率稳定性强,在各种产品中面对不同环境其晶振都能够保持在10PPM高精度.具有极强的抗震性能,在常规的摔落以及物流运输过程中都不会受到影响.每一批生产的晶振在出厂时都会经过严格的检验,采用24小时老化测试为质量严格把关.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.
精工晶振规格 |
单位 |
VT-200-F晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-30°C ~ +70°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
精工晶振规格 |
单位 |
VT-200-FL晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
插件型晶振安装注意事项:
安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2).
• 修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时,以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚,如果强制地拔出导脚,会引起玻璃的破裂,而导致壳内真空浓度的下降,有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3).(2) 要修改弯曲的导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲的部位,再进行修改(参阅图 4).
弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时,导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位.如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲,有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6).(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时,务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7).
如果直接在外壳部位焊接,会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损.应注意将晶振平放时,不要使之与导脚相碰撞,请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于外壳的直径长度(D).