CFS-145晶振,CFS-14532768DZFB晶振,32.768K圆柱晶振

当前位置：首页 » 日产晶振 » 西铁城晶振 » 西铁城晶振,32.768K晶振,CFS-145晶振,CFS-14532768DZFB晶振

prevnext

西铁城晶振,32.768K晶振,CFS-145晶振,CFS-14532768DZFB晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：1x1.5mm

插件32.768K系列为满足市场不同产品对精度的要求,通常情况下分为±5PPM、±10PPM、±20PPM,如果有其他特殊要求的客户也可以分为在精度上分为正偏差以及负偏差.音叉型表晶32.768K晶振在产品中使用温度范围可以达到—20°到+70°的宽温要求.插件32.768K系列主要使用于较为高端大气上档次的汽车电子、智能家用电器、笔记本、插卡音响、智能手表、以及数码相机等产品中.

订购热线：0755-27838351

西铁城晶振发展史：

1959年手表的组装工厂生产和御代田精密株式会社设立

1960年手表的零部件制造厂和河口湖精密株式会社设立（后的西铁城西洋网股份有限公司）

1963年轴承石的生产的目的,シメオ精密株式会社（后的西铁城精密科技股份有限公司）成立

1964年计量器类（刻度规）的生产开始

1973年西铁城使用晶振钟表用步进马达磁铁的生产开始

1974年フジミ株式会社设立

1975年钟表用音叉型水晶振动子片,压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体开始生产

1976年水晶振动子,晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器的生产开始

1978年通过陶瓷材料的手表用轴承石的生产开始

1982年高频率有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,水晶振动子片的生产开始

1986年西铁城使用晶振电子视图的生产开始

1987年光通信用的零部件?菲规则的生产开始

1989年光通信用零部件?成套筒的生产开始

1990年在香港务冠實业有限公司设立

1991年御代田精密有限公司的商号为ミヨタ株式会社设立

1993年的树脂邦德生产

1995年北御牧事业所设立

2000年強电微液晶显示器的生产开始

2001年中国·梧州市领冠电子（梧州）有限公司设立,主要生产销售晶振,石英晶振,有源晶振, 32.768K,时钟晶体,压电石英晶体,温补晶振,石英晶体振荡器.

2003年在中国?苏州市喜美歌电子材料（苏州）有限公司设立（后的西铁城光电器件（苏州）有限公司）

2005年ミヨタ股份有限公司的商号为西铁城ミヨタ株式会社设立

2006年薄膜亚mount生产开始

2008年西铁城ミヨタ株式会社西铁城精密科技股份有限公司合并.合并公司名西铁城精细技术ミヨタ株式会社

迎来2009年创立50周年

2012年美国科罗拉多州上MIYOTA DEVELOPMENT CENTER OF AMERICA成立INC .

2013年CITIZEN SEIMITSU（THAILAND）CO .,设立LTD .

2015年西铁城精密科技ミヨタ株式会社西铁城西洋网股份公司合并.合并公司西铁城精密设备有限公司

2016年CITIZEN FINEDEVICE PHILIPPINES设立CORP .

西铁城晶振,32.768K晶振,CFS-145晶振,CFS-14532768DZFB晶振,32.768K石英晶体频率稳定性强,在各种产品中面对不同环境其晶振都能够保持在10PPM高精度.具有极强的抗震性能,在常规的摔落以及物流运输过程中都不会受到影响.每一批生产的晶振在出厂时都会经过严格的检验,采用24小时老化测试为质量严格把关.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

西铁城晶振规格	单位	CFS-145晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	7pF ～ ∞	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年