西铁城晶振,插件晶振,CM309E晶振,CM309E4000000BBAT晶振
频率：4~64MHZ
尺寸：11.7*4.8*3.7mm
西铁城晶振,插件晶振,CM309E晶振,CM309E4000000BBAT晶振
| 制造商 | 西铁城晶振 | 产地 | 日本 | 产品编码 |
CM309E4000000BBAT |
| 频率 |
4MHz～64.0MHz |
负载 |
16.0pF / 18.0pF / Series |
温度范围 | -55℃ ～ +125℃ |
| 频率偏差 |
±30ppm |
封装 |
陶瓷面贴片 | 尺寸 | 11.7*4.8*3.7mm |
|
西铁城晶振
|
单位 |
CM309E晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
4MHz ～ 64MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55℃ ～ +125℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40℃ ～ +85℃ |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μWMax. |
推荐:1μW～100μW |
|
频率公差 |
f_—l |
6.0MHz未満：±50ppm 6.0MHz以上：±30ppm
|
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
|
频率温度特征 |
f_tem |
±10×10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
16.0pF / 18.0pF / Series |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+125°C,DL=100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面.
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用日产晶振.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致贴片晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
晶体振荡器和实时时钟模块
所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
深圳市康华尔电子有限公司
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