西铁城晶振,贴片晶振,CS325S晶振,CS325S24000000EEQT晶振
频率：12~54MHZ
尺寸：3.2*2.5*0.6mm
贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性
西铁城晶振,贴片晶振,CS325S晶振,CS325S24000000EEQT晶振
| 制造商 | 西铁城晶振 | 产地 | 日本 | 产品编码 |
CS325S24000000EEQT |
| 频率 | 12.0MHz～54.0MHｚ | 负载 |
10.0pF |
温度范围 | -55℃ ～ +125℃ |
| 频率偏差 |
±30ppm |
封装 |
金属面贴片晶振 | 尺寸 | 3.2*2.5*0.6mm |
|
西铁城晶振 |
单位 |
CS325S晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
12~54MHZ |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55℃ ～ +125℃ |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-40°C～+85°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
200μWMax. |
推荐:1μW～100μW |
|
频率公差 |
f_—l |
±30ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
|
频率温度特征 |
f_tem |
±10×10-6 |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
10pF~ |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+125°C,DL=100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面.
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用石英晶振.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致日产晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用3225晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
晶体振荡器和实时时钟模块
所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
深圳市康华尔电子有限公司
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