NDK晶振,NX2016SA-25.000M-STD-CZS-1晶振,NX2016SA晶振,石英晶振
频率:16~80MHz
尺寸:2.0x1.6x0.45mm
NDK晶振,NX2016SA-25.000M-STD-CZS-1晶振,NX2016SA晶体,无源晶振,普通贴片2016晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
日本NDK晶振集团创造利益,提升企业价值的同时,为了继续提升企业的价值,我们认为维持经营的透明性,确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少,我们把其放在经营最重要的课题之一的位置.日本于2015年6月制定了公司治理准则,由此我们迎来了两位外部董事.加大强化相关经营监察机能、遵守法律,确保说明责任,迅速且适当地公布信息,进口晶振履行环境保全等的社会责任,而从使我们能继续成为所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企业.
NDK晶振 |
单位 |
NX2016SA晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16~80MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ -10℃~+70℃ |
标准(有关更多信息,请参见部件号指南 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±25ppm ±15ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品.在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系晶振厂家以获取耐热的相关信息.
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市康华尔电子有限公司
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