NDK晶振,NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA晶振,日产晶振

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NDK晶振,NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA晶振,高性能晶振

频率：8~40MHz

尺寸：5.0*3.2mm

智能手机晶振,进口晶振产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27838351

NX5032GA

NDK晶振,NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA,晶振,高性能晶振普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,SMD晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为X轴,短边为Z轴,面为Y轴.
对于圆片晶振,X、Z轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的UM-1),会在X轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在Z轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.
NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得5023晶振器件的需要在急速增加.由此,本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标.

NX5032GA

NDK晶振	单位	NX5032GA晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~10.499MHZ 10.5~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX5032GA

NX5032GA-2_ 5.0_3.2

NX8045GB

冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致日产进口晶体产品性能受到损害,因此应避免照射.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
存储事项
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存石英晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.
正常温度和湿度:
温度:+15°C至+35°C,湿度25%RH至85%RH(请参阅“测试点JISC60068-1/IEC60068-1的标准条件”章节内容).
(2) 请仔细处理内外盒与卷带.外部压力会导致卷带受到损坏.