NDK晶振,NX5032GA-20.000M-STD-CSU-2晶振,NX5032GA晶振,日产晶振
频率:8~40MHz
尺寸:5.0*3.2mm
NDK晶振,NX5032GA-20.000M-STD-CSU-2晶振,NX5032GA晶振,日产晶振,32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为X轴,短边为Z轴,面为Y轴.
对于圆片晶振,X、Z轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的UM-1),会在X轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在Z轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.
NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW(弹性表面波)器件的需要在急速增加.由此,本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标.
NDK晶振 |
单位 |
NX5032GA晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8~10.499MHZ 10.5~40MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+150℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+150℃ |
标准(有关更多信息,请参见部件号指南 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±150ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
抗冲击
进口晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射.
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触5032晶振IC的表面.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
机械振动的影响
当晶体产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响.这种现象对通信器材通信质量有影响.尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作.
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