NDK晶振,NX5032GA-27.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA晶振,石英晶振

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NDK晶振,NX5032GA-27.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA晶振,日本进口晶振

频率：8~40MHz

尺寸：5.0*3.2mm

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,5032晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27838351

NX5032GA

NDK晶振,NX5032GA-27.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA,晶振,日本进口晶振,小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

NDK Crystal集团会针对以下5个产品群,迅速对应市场的动向,强化新产品的开发和市场的投入.① 产业用高附加价值产品
开发小型?高精度的OCXO（恒温晶体振荡器）、高频振荡器、超低相位噪声振荡器等的产业用高附加价值产品并扩大其销售.
② 车载用高信赖产品
在ADAS（先进驾驶辅助系统）所使用的车载相机和倒车雷达、远程信息处理等用途,晶体元器件的需求也呈现增加的趋势.因此,我们会开发TCXO（温度补偿晶体振荡器）、ICXO(钟用晶体振荡器)、SAW器件等的车载用高信赖性产品并扩大其销售.
③ SAW器件
为对应通信方式的多样化和新的频率使用,SAW (弹性表面波) 器件的需求也呈扩大的趋势.在SAW器件在移动体通信市场的正式量产展开的同时,我们会活用以往在车载市场和客户间建立起来的信赖关系和经验,让这个产品也进入车载市场.
④ 一般量产品
面向移动体通信市场,我们会进行TCXO晶振的增产和扩大销售；面向AV/OA市场,我们会开发具有价格竞争力的新产品作为针对IoT(物联网市场)的标准品并扩大其销售.
⑤ 感应器器件
基于医疗?看护?护理的需求的增大,我们会进行携带型简易超声波感应器的开发和扩大销售.还有以食品检查为中心的QCM感应器的扩大销售也会进行.作为频率的综合生产企业,为社会的[安全?安心?舒适]作出贡献

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

NDK晶振	单位	NX5032GA晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~10.499MHZ 10.5~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX5032GA

NX5032GA-2_ 5.0_3.2

NX8045GB

耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害耐高温晶振产品.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品.在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装产品与SON产品
在焊接陶瓷封装产品和SON产品(MC-146,RTC-****NB,RX-****NB)之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂).尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法.
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致进口晶振产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).