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SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO. LTD

TXC CRYSTAL CO.LTD

TXC晶振
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NDK晶振,NX5032GA-40.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA晶振,SMD晶体

频率:8~40MHz

尺寸:5.0*3.2mm

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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NX5032GA

NDK晶振,NX5032GA-40.000000MHZ-LN-CD-1晶振,NX5032GA晶振,SMD晶体,超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW(弹性表面波)器件的需要在急速增加.由此,本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标.

NX5032GA

NDK晶振

单位

NX5032GA晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

8~10.499MHZ

10.5~40MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40℃~+150℃

裸存

工作温度

T_use


-40℃~+150℃

标准(有关更多信息,请参见部件号指南
选项)

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l


±150ppm

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

NX5032GA

NX5032GA-2_ 5.0_3.2

NX5032GA

耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品.在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们石英晶振厂家以获取耐热的相关信息.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
激励功率
石英晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

NX5032GA

NX5032GA

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