NDK晶振,NX5032GA- 9.84375M-STD-CSU-1晶振,NX5032GA晶振,无铅晶振
频率:8~40MHz
尺寸:5.0*3.2mm
NDK晶振,NX5032GA- 9.84375M-STD-CSU-1晶振,NX5032GA晶振,无铅晶振.2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计(a、球面的余弦磨量;b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算).
日产晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW(弹性表面波)器件的需要在急速增加.由此,本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标.
NDK晶振 |
单位 |
NX5032GA晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8~10.499MHZ 10.5~40MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+150℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+150℃ |
标准(有关更多信息,请参见部件号指南 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±150ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品.在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们石英晶振厂家以获取耐热的相关信息.
抗冲击
5032晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射.
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
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