NDK晶振,NX8045GB-16.000000MHZ晶振,NX8045GB晶振,高频晶振
频率:8~40MHZ
尺寸:8.00*4.5*1.8mm
NDK晶振,NX8045GB-16.000000MHZ晶振,NX8045GB晶振,高频晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
贴片晶振晶片边缘处理技术贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
日本进口晶体NDK集团创造利益,提升企业价值的同时,为了继续提升企业的价值,我们认为维持经营的透明性,确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少,我们把其放在经营最重要的课题之一的位置.日本于2015年6月制定了公司治理准则,由此我们迎来了两位外部董事.加大强化相关经营监察机能、遵守法律,确保说明责任,迅速且适当地公布信息,履行环境保全等的社会责任,而从使我们能继续成为所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企业.
NDK晶振 |
单位 |
NX8045GB晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8~40MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+150℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+150℃ |
标准(有关更多信息,请参见部件号指南 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±150ppm |
+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振使用注意事项
使用每种产品时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
晶体产品的设计和生产满足它的规格书.通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的进口晶振产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输.请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任.
所有MHZ晶振晶体产品的共同点
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射.
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
深圳市康华尔电子有限公司
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