NDK晶振,NX8045GB-20.000000MHZ晶振,NX8045GB晶振,日本进口晶振

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NDK晶振,NX8045GB-20.000000MHZ晶振,NX8045GB晶,8045贴片晶体

频率：8~40MHZ

尺寸：8.0x4.5

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27838351

NX8045GB

NDK晶振,NX8045GB-20.000000MHZ晶振,NX8045GB晶,8045贴片晶体,二脚SMD陶瓷面贴片晶振,表面陶瓷封装,其实是属于压电石英晶振,是高可靠的环保性能,严格的频率分选,编带盘装,可应用于高速自动贴片机焊接,产品本身设计合理,成本和性能良好,产品被广泛应用于平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.

石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

日本电波晶体工业株式会社作为晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用.晶振技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.

NX5032GA

NDK晶振	单位	NX8045GB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX8045GB

NX8045GB--1_ 8.0_4.5

NX8045GB

晶振超声波清洗
(1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗.但是,在某些条件下,晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏.确保已事先检查系统的适用性.
(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏.
(3)请勿清洗开启式产品
(4)对于可清洗产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等.
(5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固.这会引起诸如位移等其它现象.这将会负面影响产品的可靠性和质量.请清理残余的助焊剂并烘干PCB.
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触日产晶振IC的表面.
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用产品.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品.在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配

NX8045GB