NDK晶振,NX8045GB-7.3728MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,低功耗晶振

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NDK晶振,NX8045GB-7.3728MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,石英贴片晶振

频率：8~40MHZ

尺寸：8.00*4.5*1.8mm

低功耗晶振具有小型,薄型,轻型的贴片晶振,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.

订购热线：0755-27838351

NX8045GB

NDK晶振,NX8045GB-7.3728MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,,石英贴片晶振,超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

日本电波晶体工业株式会社作为晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用.晶振技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.

NDK晶振	单位	NX8045GB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX8045GB

NX8045GB--1_ 8.0_4.5

NX8045GB

使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用产品.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触SMD晶体IC的表面.
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致8045贴片晶体产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

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