NDK晶振,NX8045GB-8.000M-STD-CSF-6晶振NX8045GB晶振,日产晶振

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NDK晶振,NX8045GB-8.000M-STD-CSF-6晶振,NX8045GB晶振,日本进口晶体

频率：8~40MHZ

尺寸：8.0x4.5x1.8mm

8045晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

订购热线：0755-27838351

NX8045GB

NDK晶振,NX8045GB-8.000M-STD-CSF-6晶振,NX8045GB晶振,日本进口晶体,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW（弹性表面波）器件的需要在急速增加.由此,本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标.

NX5032GA

NDK晶振	单位	NX8045GB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX8045GB

NX8045GB--1_ 8.0_4.5

NX8045GB

使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用产品.这个温度涉及本体的和季节变化的温度.在高湿环境下,会由于凝露引起故障.请避免凝露的产生.
耐高温晶振的耐焊性
加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接晶体产品,建议使用SMD产品.在下列回流条件下,对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度,会破坏产品特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些产品之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
进口晶振的存储事项
(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时,会影响频率稳定性或焊接性.请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏.
正常温度和湿度:
温度:+15°C至+35°C,湿度25%RH至85%RH(请参阅“测试点JISC60068-1/IEC60068-1的标准条件”章节内容).
(2) 请仔细处理内外盒与卷带.外部压力会导致卷带受到损坏.
晶振使用注意事项
使用每种产品时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
晶体产品的设计和生产满足它的规格书.通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的产品.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输.请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任.