NDK晶振,NX8045GB-6MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,低功耗晶振

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NDK晶振,NX8045GB-6MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,低功耗晶振

频率：8~40MHZ

尺寸：8.00*4.5*1.8mm

贴片表晶8045系列具有超小型,薄型,质地轻的高精密晶振,产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

订购热线：0755-27838351

NX8045GB

NDK晶振,NX8045GB-6MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,低功耗晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW（弹性表面波）器件的需要在急速增加.由此,本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上,把均衡缩减战略切换成成长战略.并且展开在产业设备、车载、传感器领域,利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益,来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标.

NDK晶振	单位	NX8045GB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX8045GB

NX8045GB--1_ 8.0_4.5

NX8045GB

晶振使用注意事项
使用每种产品时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
晶体产品的设计和生产满足它的规格书.通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高可靠性的SMD晶体.但是为了产品的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输.请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用产品所导致的不良不负任何责任.
产品的共同点
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
辐射
暴露于辐射环境会导致石英贴片晶振产品性能受到损害,因此应避免照射.
静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.