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SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO. LTD

TXC CRYSTAL CO.LTD

TXC晶振
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康华尔电子代理台湾,日本进口晶体,从DIP到SMD表贴封装,市场常用型号均有备货,质量保证欢迎咨询
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NDK晶振,车载晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-12.000000MHZ晶振

频率:8M~40MHZ

尺寸:8.0x4.5mm

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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日本电波工业株式会社NDK晶振抢先取得社会需求,为客户提供高质量的服务与晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振.

NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.

现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.

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NDK晶振,车载晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-12.000000MHZ晶振,二脚SMD陶瓷面贴片晶振,表面陶瓷封装,其实是属于压电石英晶振,是高可靠的环保性能,严格的频率分选,编带盘装,可应用于高速自动贴片机焊接,产品本身设计合理,成本和性能良好,产品被广泛应用于平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40-85)晶振切割角度比窄温(-10-70)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X ,短边为 Z ,面为 Y .

对于圆片晶振,XZ 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1,会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体,贴片晶振元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.123项相对简单,4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

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NDK晶振规格

单位

NX8045GB晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

8MHZ~40MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +150°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +150°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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NX8045GB_8.0_4.5

8045石英晶体谐振器原厂编码

晶振代码 厂家 型号 频率 封装 尺寸
NX8045GB-12.000000MHZ NDK晶振 NX8045GB 12MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-18.432000MHZ NDK晶振 NX8045GB 18.432MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-40.000000MHZ NDK晶振 NX8045GB 40MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-10.000000MHZ NDK晶振 NX8045GB 10MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-20.000000MHZ NDK晶振 NX8045GB 20MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-16.934400MHZ NDK晶振 NX8045GB 16.9344MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-27.000000MHZ NDK晶振 NX8045GB 27MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)
NX8045GB-12M-STD-CSF-4 NDK晶振 NX8045GB 12MHz 2-SMD  (8.00mm x 4.50mm)

4晶体单元/谐振器

1.激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 .

2.负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.NDK晶振,车载晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-12.000000MHZ晶振

3.负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容.

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