NDK晶振,车载晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-12.000000MHZ晶振
频率:8M~40MHZ
尺寸:8.0x4.5mm
日本电波工业株式会社NDK晶振抢先取得社会需求,为客户提供高质量的服务与晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振.
NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.
现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.
NDK晶振,车载晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-12.000000MHZ晶振,二脚SMD陶瓷面贴片晶振,表面陶瓷封装,其实是属于压电石英晶振,是高可靠的环保性能,严格的频率分选,编带盘装,可应用于高速自动贴片机焊接,产品本身设计合理,成本和性能良好,产品被广泛应用于平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.
对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计:石英晶振产品的电极对于石英晶体,贴片晶振元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.
NDK晶振规格 |
单位 |
NX8045GB晶振频率范围 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8MHZ~40MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +150°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +150°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
8045石英晶体谐振器原厂编码
晶振代码 | 厂家 | 型号 | 频率 | 封装 | 尺寸 |
NX8045GB-12.000000MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 12MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-18.432000MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 18.432MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-40.000000MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 40MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-10.000000MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 10MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-20.000000MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 20MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-16.934400MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 16.9344MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-27.000000MHZ | NDK晶振 | NX8045GB | 27MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
NX8045GB-12M-STD-CSF-4 | NDK晶振 | NX8045GB | 12MHz | 2-SMD | (8.00mm x 4.50mm) |
晶体单元/谐振器
1.激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 .
2.负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.NDK晶振,车载晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-12.000000MHZ晶振
3.负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容.
深圳市康华尔电子有限公司
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