SMI晶振,贴片晶振,90SMX(S)晶振,日本进口晶振
频率：32.768KHz
尺寸：8.7*3.7*2.5mm
贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
SMI晶振,贴片晶振,90SMX(S)晶振,日本进口晶振.32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
|
SMI晶振 |
单位 |
90SMX(S)晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
32.768KHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-55°C+125°C |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40°C+85°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
100μWMax. |
推荐:1μW～100μW |
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频率公差 |
f_—l |
±5ppm,±10ppm,±15ppm, ±20ppm,±30ppm |
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
|
频率温度特征 |
f_tem |
±5ppm,±10ppm,±15ppm, ±20ppm,±30ppm
|
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
6pF,12.5pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+125°C,DL=100μW |
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频率老化 |
f_age |
±3×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
晶振使用注意事项
使用晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
在日本进口晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用智能穿戴晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏无线网络晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市康华尔电子有限公司
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