SMI晶振,贴片晶振,94SMX(D)晶振,日本进口晶振
频率：6~70MHz
尺寸：7.0*5.0*1.1mm
贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
SMI晶振,贴片晶振,94SMX(D)晶振,日本进口晶振.贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
|
SMI晶振 |
单位 |
94SMX(D)晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
6~70MHz |
标准频率 |
|
储存温度 |
T_stg |
-20°C～+70°C |
裸存 |
|
工作温度 |
T_use |
-20°C～+70°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
100μWMax. |
推荐:1μW～100μW |
|
频率公差 |
f_—l |
±50ppm
|
+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
|
|
频率温度特征 |
f_tem |
±50ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
|
负载电容 |
CL |
16pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
|
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+125°C,DL=100μW |
|
频率老化 |
f_age |
±3×10-6/yearMax. |
+25°C,第一年 |
晶振使用注意事项
使用晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
在日产晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用数码相机晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶振单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏智能穿戴晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市康华尔电子有限公司
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