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TXC晶振
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SMI晶振,压控晶振,99SMOVF晶振,低电压5032晶振

频率:1~170MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

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TC-1

SMI晶振,压控晶振,99SMOVF晶振,低电压5032晶振.贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

TC-2


SMI晶振

99SMOVF晶振

输出类型

CMOS

振荡模式

基本/第三泛音

电源电压

+3.3V

频率范围

1~170MHz

频率稳定度

±20ppm,±25ppm,±30ppm,±50ppm

工作温度

-20~+70℃,-40~+85℃

保存温度

-40~+100℃

电压卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

启动时间

5 ms Max.

相位抖动(12兆赫~20兆赫)

1个PS最大.

老化率

±3 ppm /年最大.

TC-3

99SMOVF2

TC-4晶振使用注意事项

使用有源晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.

压控晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

输出负载

建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶振单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

静电

过高的静电可能会损坏智能穿戴晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

99SMOVF

TC-5

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