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511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振

频率:156.25MHZ

尺寸:5.00mmx3.20mm

511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振,尺寸5.00mmx3.20mm,频率156.25MHz,支持输出LVPECL,电压3.3V,频率稳定性25ppm,脚位6-SMD,LVPECL输出晶振,LVPECL贴片晶振,差分晶体振荡器,XO时钟振荡器(标准),有源晶体振荡器,有源贴片晶振,电信专用差分晶振,6G交换晶振,路由器专用差分晶振,时钟生产晶振,低抖动差分晶振,低相位差分晶振,产品很适合用于SONET/SDH/OTN网络,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express总线,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,差分晶振LVPECL,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL技术,以提供从100kHz到250MHz的任何频率。不像传统的XO晶体振荡器其中每个输出频率需要不同的晶体,Si510/511使用一个固定晶体和Skyworks Solutions的专有DSPLL 合成器产生这个范围内的任何频率。这种基于IC的 方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性, 改进的机械强度和优异的稳定性。此外,这 解决方案提供出色的电源噪声抑制,简化低抖动时钟嘈杂环境中的生成。511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振.

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TC-1

511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振,尺寸5.00mmx3.20mm,频率156.25MHz,支持输出LVPECL,电压3.3V,频率稳定性25ppm,脚位6-SMD,LVPECL输出晶振,LVPECL贴片晶振,差分晶体振荡器,XO时钟振荡器(标准),有源晶体振荡器,有源贴片晶振,电信专用差分晶振,6G交换晶振,路由器专用差分晶振,时钟生产晶振,低抖动差分晶振,低相位差分晶振,产品很适合用于SONET/SDH/OTN网络,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express总线,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,差分晶振LVPECL,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL技术,以提供从100kHz到250MHz的任何频率。不像传统的XO晶体振荡器其中每个输出频率需要不同的晶体,Si510/511使用一个固定晶体和Skyworks Solutions的专有DSPLL 合成器产生这个范围内的任何频率。这种基于IC的 方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性, 改进的机械强度和优异的稳定性。此外,这 解决方案提供出色的电源噪声抑制,简化低抖动时钟嘈杂环境中的生成。511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振.TC-2

511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振       参数图

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended
21 26 mA
LVDS
(output enabled)
19 23 mA
LVPECL
(output enabled)
39 43 mA
HCSL
(output enabled)
41 44 mA
Tristate
(output disabled)
18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD V
OE "0" Setting VIL See Note 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor*
RI 45
Operating Temperature TA –40 85 oC
TC-3511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511有源振荡器 6G交换机晶振    尺寸图Si510 Si511

OSC晶振产品特性:

频率100kHz至250MHz

低抖动操作

2到4周的交货时间

完全稳定包括10年老化

3.3、2.5或1.8 V工作电压

差异(LVPECL,LVDS, HCSL)或CMOS输出选项

可选集成1:2 CMOS扇出缓冲器

OE上的不良抑制和通电 行业标准5 x 7、3.2 x 5、 和2.5 x 3.2毫米封装

无铅,符合RoHS标准

–40至85摄氏度操作Si510 Si511 1

Si510 Si511 2

更多相关美国Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码 晶振厂家 Series型号 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Frequency Stability频率稳定度
530BA125M000DG Silicon振荡器 Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon振荡器 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon振荡器 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon振荡器 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon振荡器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon振荡器 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon振荡器 SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon振荡器 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon振荡器 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon振荡器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon振荡器 Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon振荡器 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon振荡器 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon振荡器 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon振荡器 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon振荡器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon振荡器 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon振荡器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon振荡器 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon振荡器 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG 美国Silicon晶体振荡器 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon振荡器 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
TC-5

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