Si536差分振荡器/536BB125M000DG/6G电信晶振/Silicon欧美晶振

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Si536差分振荡器/536BB125M000DG/6G电信晶振/Silicon欧美晶振

频率：125MHZ

尺寸：7.00mmx5.00mm

Si536差分振荡器/536BB125M000DG/6G电信晶振/Silicon欧美晶振，尺寸7.00mmx5.00mm，频率125MHZ，频率稳定性20ppm,输出逻辑LVDS，电压3.3V，脚位6-SMD，XO时钟振荡器（标准），LVDS差分晶振，LVDS差分输出振荡器，低抖动差分晶振，有源贴片晶振，六脚差分晶振，贴片振荡器，SMD振荡器，美国进口晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，低电压差分晶振，电信专用差分晶振，路由器差分晶振，交换机差分晶振，以太网晶振，光纤通道差分晶振，具有低功耗高性能的特点，很适合用于10/40/100G数据中心，10G以太网交换机/路由器，光纤通道/SAS/存储，企业服务器，网络，电信等领域。

Si535/536 XO有源晶振采用了Skyworks Solutions先进的DSPLL电路，以在高速差分频率下提供超低抖动时钟。不像传统的XO，每个输出需要不同的晶体频率，Si535/536使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。此外，DSPLL时钟合成提供出色的电源噪声抑制，简化了任务在高噪声环境中产生低抖动时钟，通常出现在通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程的在装运时，因此消除了与定制晶体振荡器。Si536差分振荡器/536BB125M000DG/6G电信晶振/Silicon欧美晶振.

订购热线：0755-27838351

Si536差分振荡器/536BB125M000DG/6G电信晶振/Silicon欧美晶振 参数图

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Supply Voltage1

V DD

3.3 V option

2.97

3.3

3.63

2.5 V option

2.25

2.5

2.75

Supply Current

IDD

Output enabled
LVPECL
LVDS

—
—

111
90

121
98

Tristate mode

—

Output Enable (OE)2

VIH

0.75 x V DD

—

VIL

—

0.5

Operating Temperature Range

–40

—

°C

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1

LVPECL/LVDS

100

—

312.5

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,2

–7
–20

—
—

+7
+20

ppm

Aging

Frequency drift over first year

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Total Stability2

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±7 ppm

—

Powerup Time3

tOSC

TA = –40°C — +85°C

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL Output Option1

Mid-level

V DD – 1.42

—

V DD – 1.25

VOD

Swing (diff)

1.1

—

1.9

VPP

VSE

Swing (Single-ended)

0.55

—

0.95

VPP

LVDS Output Option2

Mid-level

1.125

1.20

1.275

VOD

Swing (diff)

0.5

0.7

0.9

VPP

Rise/Fall time (20/80%)

tR,t F

—

350

Symmetry (duty cycle)

SYM

Differential

—

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL/LVDS Phase Jitter*
(RMS)

φJ

10 kHz to 1 MHz (data center)

—

0.19

0.35

12 kHz to 20 MHz brickwall

—

0.25

0.40

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL/LVDS Period Jitter*

J PER

RMS

—

Peak-to-Peak

—

Si536差分振荡器/536BB125M000DG/6G电信晶振/Silicon欧美晶振 尺寸图

差分晶振产品特性：

可从以下频率中选择100MHz至312.5MHz

集成superior的第三代DSPLL

抖动性能和高功率

电源噪声抑制

频率稳定性比高3倍

基于SAW的振荡器

LVPECL和 LVDS输出

3.3和2.5V电源选项

行业标准5x7毫米

封装和引脚排列

无铅/符合RoHS标准

更多相关美国Silicon晶振型号

欧美晶振原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Frequency 频率	Voltage - Supply电压	Frequency Stability频率稳定度
510DBA100M000AAG	Silicon振荡器	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
531AC125M000DG	Silicon振荡器	Si531	125MHz	3.3V	±7ppm
531FC125M000DG	Silicon振荡器	Si531	125MHz	2.5V	±7ppm
530AC156M250DG	Silicon振荡器	Si530	156.25MHz	3.3V	±7ppm
531FC156M250DG	Silicon振荡器	Si531	156.25MHz	2.5V	±7ppm
531FC148M500DG	Silicon振荡器	Si531	148.5MHz	2.5V	±7ppm
531AC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	3.3V	±7ppm
530AC155M520DG	Silicon振荡器	Si530	155.52MHz	3.3V	±7ppm
531BC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	3.3V	±7ppm
531FC200M000DG	Silicon振荡器	Si531	200MHz	2.5V	±7ppm
530BC148M500DG	Silicon振荡器	Si530	148.5MHz	3.3V	±7ppm
536EB156M250DG	Silicon振荡器	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm
536BB125M000DG	Silicon振荡器	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm
531AC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531AC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	3.3V	±7ppm
510ABA000149BAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA000149BAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149BAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA106M250BAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA106M250BAG	Silicon振荡器	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500BAG	Silicon振荡器	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000149BAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000149BAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA74M2500BAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000149AAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA125M000AAG	Silicon振荡器	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
510ABA106M250AAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250AAG	Silicon振荡器	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
510ABA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149AAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510BBA000149AAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA000149AAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA106M250AAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000149AAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
510FBA106M250AAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	2.5V	±25ppm
511BBA000149AAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA155M520BAG	Silicon振荡器	Si510	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA155M520BAG	Silicon振荡器	Si510	155.52MHz	2.5V	±25ppm
511FBA155M520BAG	Silicon振荡器	Si511	155.52MHz	2.5V	±25ppm
510ABA000110BAG	Silicon振荡器	Si510	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000110BAG	Silicon振荡器	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511ABA148M500BAG	Silicon振荡器	Si511	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511ABA155M520BAG	Silicon振荡器	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510BBA000110BAG	Silicon振荡器	Si510	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000110BAG	Silicon振荡器	Si510	148.35165MHz	2.5V	±25ppm
510BBA155M520BAG	Silicon晶振	Si510	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA155M520AAG	Silicon振荡器	Si510	155.52MHz	2.5V	±25ppm
510ABA000110AAG	Silicon振荡器	Si510	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000110AAG	Silicon振荡器	Si510	148.35165MHz	2.5V	±25ppm
511FBA155M520AAG	Silicon振荡器	Si511	155.52MHz	2.5V	±25ppm
510ABA155M520AAG	Silicon振荡器	Si510	155.52MHz	3.3V	±25ppm
511ABA148M500AAG	Silicon振荡器	Si511	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511FBA148M500AAG	Silicon振荡器	Si511	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511FBA156M250AAG	Silicon振荡器	Si511	156.25MHz	2.5V	±25ppm
510FBA212M500BAG	Silicon振荡器	Si510	212.5MHz	2.5V	±25ppm