ACT艾西迪晶体|WXS00003GIKD‐PF|WX16S音叉晶体|6G物联网晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:1.6*1.0mm
ACT艾西迪晶体|WXS00003GIKD‐PF|WX16S音叉晶体|6G物联网晶振,尺寸为1.6*1.0mm,频率32.768KHZ,艾西迪无源晶体,无源贴片晶振,SMD晶体,石英SMD晶振,32.768KHZ晶振,时钟晶振,贴片谐振器,超小型晶振,两脚贴片晶振,音叉晶体,水晶振动子,时计晶振,电话机晶振,无线网络晶振,仪器设备晶振,通信产品专用晶振,低损耗贴片晶体,高质量晶振,高性能晶振.
音叉晶体产品具有良好的可靠性能以及稳定性能,十分适合用于时计,无线网络,仪器设备,通信,电话机等领域.ACT艾西迪晶体|WXS00003GIKD‐PF|WX16S音叉晶体|6G物联网晶振.
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音叉晶体产品具有良好的可靠性能以及稳定性能,十分适合用于时计,无线网络,仪器设备,通信,电话机等领域.ACT艾西迪晶体|WXS00003GIKD‐PF|WX16S音叉晶体|6G物联网晶振.
ACT艾西迪晶体|WXS00003GIKD‐PF|WX16S音叉晶体|6G物联网晶振 参数图
Parameters
Specification
Remarks
Frequency
F_nom
32.768kHz
Frequency tolerance
F_tol
±20ppm
At 25°C ± 3°C
Operating temperature range
T_use
‐40°C ~ +85°C
Storage temperature
T_stg
‐55°C ~ +125°C
Temperature coefficient
K
‐0.036±10% ppm/Δ°C²
Turnover temperature
Ti
25°C ± 5°C
Load capacitance
CL
9pF
Other load capacitances are available ‐ please contact ACT
Equivalent series resistance
ESR
90K? max
Other lower ESR options are available ‐ please contact ACT
Shunt capacitance
C0
2.0pF max
Drive level
DL
0.1μW typical, 1.0μW max
Frequency aging
F_age
±3.0ppm max
At 25°C,First year
Insulation resistance
IR
500M?min
At DC100V ± 15V
32.768K晶体产品特性:
符合RoHS和REACH标准
真空密封微型陶瓷封装,稳定性极佳
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